| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| TSM160P02CS RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP | 下载 |
| TSM160P02CSRLG | Taiwan Semiconductor | P-Channel Power MOSFET | 下载 |
MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | P 沟道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 11A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V |
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 16 毫欧 @ 6A,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 27nC @ 4.5V |
| Vgs(最大值) | ±10V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2320pF @ 15V |
| 功率耗散(最大值) | 2.5W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
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